金融界2025年1月29日音讯，国家知识产权局信息数据显现，南京第三代半导体技术创新中心有限公司获得一项名为“带有屏蔽区的碳化硅MOSFET及其制作办法”的专利，授权公告号CN 118380321 B，请求日期为2024年5月。
天眼查资料显现，南京第三代半导体技术创新中心有限公司，成立于2022年，坐落南京市，是一家以从事科技推广和使用服务业为主的企业。企业注册本钱2001万人民币，实缴本钱2001万人民币。经过天眼查大数据分析，南京第三代半导体技术创新中心有限公司参加招投标项目7次，专利信息55条，此外企业还具有行政许可3个。
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